公司产业
- 产品描述
- 主要参数
- 关键特点
-
- 商品名称: M82200-9/UM型PECVD
- 商品编号: 1455880964528558080
用于在晶硅电池衬底材料表面形成一层或多层纳米级的减反射薄膜（如：Si3N4减反射膜、SiO2钝化膜），降低硅片表面光反射，提高光吸收能力，从而提高太阳能光伏电池的光电转换效率。在Si3N4减反射膜表面生长氧化硅薄膜可以有效地屏蔽金属离子的渗透，提高组件的抗PID性能。
-
1.成膜种类
二氧化硅、氮化硅；
2.装片和成膜质量
装片尺寸及装片量：125x125mm方片，352片/管/批；156x156mm方片，308片/管/批；
工艺时间：≤45分钟/批（膜厚80nm）；
成膜均匀性：片内≤4%，片间≤4%，批间≤4%（膜厚80nm，折射率大于2.04）；
3.温控系统
炉膛有效内径：Ф475mm（石英管外径Ф450mm）；
温度控制范围：300～500℃；
恒温区长度及精度：±2℃/1370mm（500℃）；
升温时间：RT→450℃≤40min；
4.真空系统
系统极限真空：3Pa；
工作压力范围和精度：50 Pa～300±5Pa（闭环控制）；
恢复真空时间：AP→10 Pa＜5min；
系统漏气率：停泵关阀后压力升率＜3 Pa /min；
5.气路系统
气路系统配置：4路MFC控制（SiH4、NH3、N2）；
MFC控制精度：≤±1%F.S；
气密性：漏率≤1×10-7pa.m3/s；
管路特性和连接方式：316L电化学内抛光管道、全VCR焊接；
6.自动控制方式
高性能工控机自动控制工艺过程，并对工艺参数和工艺流程实时监控，并有故障诊断、报警和保护功能；
7.报警和互锁功能
报警和提示功能：设备具有工艺状态声光提醒，以及计算机异常、超温报警与欠温、MFC偏差、反应室压力偏差、极限超温报警和保护功能；
互锁功能：具有炉门机构到位状态，以及空压、氮气、水流压力与工艺互锁的功能；特种气体阀门误操作互锁；
8.设备功率
峰值功率≤280KVA，保温功率约100KVA。
-
1.产能更大，单片成本更少
业内超大管径PECVD反应腔（Ф450mm），产能更大，单片成本更少、工艺性能更佳，单台4管设备的产能
125硅片产能可达1800片/小时（每管352 片/批），156硅片的产能可达1600片/小时（每管308片/批）；
2.自动化程度高
全自动上下舟系统，一键全自动工艺，自动化程度的提高增加了产品的重复性和一致性；
3.高精度温度控制
采用自主研发、设计、制造的超大口径炉体，高精度五段双回路温度控制系统，回温速度快，控制精度均处于
国内领先地位；
4.业内领先的新型压力控制系统
采用自主新研发的新型全自动精密闭环压力控制技术，压力控制精度以及实时响应能力大幅提高30%，真空系
统更加高效、稳定性提高，反应腔气氛更加均匀。
